若儲(chǔ)能電容器采用單相橋式接線，由于提高了充電電壓，電容器的裝設(shè)容量可比三相橋式整流的增加一倍。

正常情況下，硅整流器交流電源應(yīng)由電源側(cè)斷路器供電，自行投入。

因系統(tǒng)故障，使電源線路對(duì)側(cè)跳閘，造成電源中斷時(shí)，不會(huì)引起站用交流電壓消失。

對(duì)于一般缺陷，運(yùn)行人員應(yīng)加強(qiáng)監(jiān)視，并在交接班時(shí)進(jìn)行交代。

真空斷路器的滅弧過程是在密封的真空容器中完成的，因此不會(huì)污染周圍環(huán)境。

電壓互感器的二次負(fù)載大小與它的比值差和相角差無關(guān)。

接線端子銹蝕嚴(yán)重屬于緊急缺陷。

真空斷路器的真空度測試工作非常重要，一旦真空度被破壞，就不能滅弧，因此驗(yàn)收時(shí)必須檢查真空度。

電流互感器二次側(cè)所接負(fù)載的大小影響電流互感器的準(zhǔn)確度等級(jí)。

由于單個(gè)硅元件的工作電壓和電流不能做得很高，在制造低電壓或小電流的硅整流電源時(shí)，有時(shí)需要把硅元件串聯(lián)和并聯(lián)使用。