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填空題單晶硅太陽(yáng)能電池的基本結(jié)構(gòu)是（），在背場(chǎng)將不純物進(jìn)行（），形成P﹢層，可以改善收集效率。

1.填空題用堿性溶液，利用（）的差異性，可以對(duì)單晶硅表面進(jìn)行棱狀凹凸加工處理。

2.填空題電池高效率化技術(shù)說(shuō)明已被規(guī)模生產(chǎn)所采用的（）及BSF結(jié)構(gòu)。

3.填空題涂層擴(kuò)散法是用含有磷的溶液代替（）進(jìn)行（）和加熱，使磷向硅片中擴(kuò)散形成pn結(jié)，具有簡(jiǎn)單易于大型化生產(chǎn)的優(yōu)點(diǎn)。

4.填空題氣體擴(kuò)散法是將含（）的氣體在高溫下向硅片進(jìn)行擴(kuò)散，形成（），一般都用這一方法。

5.填空題由于線切割面是被機(jī)械沖擊過(guò)，因此會(huì)殘留結(jié)晶變形，使電氣特性變壞，因此需用HF+HNO3進(jìn)行腐蝕，使表面（）的程度。

6.填空題目前太陽(yáng)能電池用的鑄模，仍以生產(chǎn)性能高的（）為主。

7.填空題將得到的多晶硅進(jìn)行溶解，做成單晶硅，其方法有（）和浮游帶熔融兩種。

8.填空題原材料用硅砂，先將其還原為純度為97％-98％的（），為了進(jìn)一步提高純度，將金屬硅與（）反應(yīng)，生成（），再將其還原，熱分解得到純度為99.99999％以上的多晶硅。

9.填空題單晶硅太陽(yáng)能電池制造工程由（）和模板工程組成。

10.填空題單晶硅棒和PN結(jié)的制造技術(shù)等，與（）以及（）等半導(dǎo)體制造技術(shù)有較多共同部分，且歷史悠久，實(shí)際業(yè)績(jī)突出。