單項(xiàng)選擇題單晶片直探頭接觸法探傷中，與接觸面十分接近的缺陷往往不能有效地檢出這是因?yàn)椋ǎ?/strong>

A.近場(chǎng)干擾
B.材質(zhì)衰減
C.盲區(qū)
D.選擇范圍


您可能感興趣的試卷

你可能感興趣的試題

1.單項(xiàng)選擇題調(diào)制分析能適用于探頭和試件相對(duì)（）的監(jiān)測(cè)。

A.運(yùn)動(dòng)
B.靜止
C.兩者都可以
D.都不可以

2.單項(xiàng)選擇題從電導(dǎo)率變化的信號(hào)中分離出裂紋信號(hào)應(yīng)采用（）。

A.高通濾波器
B.低通濾波器
C.寬帶濾波器
D.都不是

3.單項(xiàng)選擇題下列哪一電路可改善渦流探傷的信噪比？（）

A.放大器
B.顯示器
C.濾波器
D.鑒幅器

4.單項(xiàng)選擇題渦流探傷中，相敏檢波器的控制信號(hào)是（）。

A.方波
B.正弦波
C.兩者都可以
D.兩者都不可以

8.單項(xiàng)選擇題如果容易地檢出缺陷，渦流的流向要：（）。

A.與缺陷的主平面共面
B.與缺陷的主平面垂直
C.與缺陷的主平面平行
D.線圈中電流相位差90°

9.單項(xiàng)選擇題使材料中剩磁減小到零所需外加的磁場(chǎng)強(qiáng)度稱為（）。

A.剩余磁感應(yīng)強(qiáng)度
B.矯頑力
C.磁滯回線
D.磁化強(qiáng)度

10.單項(xiàng)選擇題在交變磁場(chǎng)中試驗(yàn)鐵磁性材料時(shí)，如果磁場(chǎng)強(qiáng)度增大（）。

A.對(duì)渦流無影響
B.增大渦流透入深度
C.減小渦流透入深度
D.使渦流透入深度減小到某一最小值，然后當(dāng)試樣達(dá)到磁飽和時(shí)，透入深度又增大到最大值。