單項(xiàng)選擇題柱面波是指波源為一無(wú)限長(zhǎng)柱體，任意時(shí)刻的波陣面為一（）。

A、同軸圓柱面
B、平面
C、同心圓球面
D、斜面


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1.單項(xiàng)選擇題球面波是指波源為一（），任意時(shí)刻的波陣面為一同心圓球面。

A.斜面
B.無(wú)限長(zhǎng)柱體
C.平面
D.點(diǎn)聲源

3.單項(xiàng)選擇題半波透聲層指的是使耦合層厚度為其半波長(zhǎng)的（）。

A.整數(shù)倍
B.奇數(shù)倍
C.平方
D.以上都不對(duì)

4.單項(xiàng)選擇題JB1152-81標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定，斜探頭K值的測(cè)定應(yīng)在聲場(chǎng)的（）。

A.1.67N以外進(jìn)行
B.N以外進(jìn)行
C.2N以外進(jìn)行
D.3N以外進(jìn)行

5.單項(xiàng)選擇題檢測(cè)筒狀工件（r/D＜86%＝時(shí)，選擇（）。

A.K＝1的探頭
B.K＝2的探頭
C.K＝2.5的探頭
D.A、B和C

6.單項(xiàng)選擇題選擇K值的經(jīng)驗(yàn)公式為（）。

A.K＝（上焊縫寬度+下焊縫寬度+探頭前沿距離）/板厚
B.K≤（上焊縫寬度+下焊縫寬度+探頭前沿距離）/板厚
C.K≥（上焊縫寬度+下焊縫寬度+探頭前沿距離）/板厚
D.K值可以取任意值

8.單項(xiàng)選擇題θ≈57λ/2a為（）的公式。

A.圓晶片半擴(kuò)散角
B.方晶片半擴(kuò)散角
C.反射角
D.折射角

9.單項(xiàng)選擇題近場(chǎng)區(qū)長(zhǎng)度在頻率給定時(shí)，隨晶片直徑變小而（）。

A.縮短
B.不變
C.增加
D.擴(kuò)散