單項(xiàng)選擇題放射性物質(zhì)原子數(shù)衰變到原來(lái)（）所需的時(shí)間稱為半衰期。

A. 1/2
B. 1/4
C. 1/3
D. 1/5


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1.單項(xiàng)選擇題放射性同位素衰變時(shí)，同位素的原子核以（）方式蛻變。

A. 粒子發(fā)射
B. K俘獲
C. 淹滅輻射
D. A和B

2.單項(xiàng)選擇題放射性同位素的能量（）。

A. 隨時(shí)間的增加而增加
B. 隨時(shí)間的增加而減弱
C. 不受時(shí)間的影響
D. 以上都不對(duì)

3.單項(xiàng)選擇題放射性同位素源的半衰期取決于（）。

A. 源的強(qiáng)度
B. 源的尺寸
C. 源的使用時(shí)間
D. 源的種類

4.單項(xiàng)選擇題同位素是指（）的元素。

A. 質(zhì)子數(shù)相同、中子數(shù)不同
B. 質(zhì)子數(shù)不同、中子數(shù)不同
C. 質(zhì)子數(shù)不同、中子數(shù)相同
D. 質(zhì)子數(shù)相同、中子數(shù)相同

5.單項(xiàng)選擇題Χ射線、γ射線和α粒子有一個(gè)共同點(diǎn)，即它們都是（）。

A.物質(zhì)粒子輻射
B.電磁輻射
C.微波輻射
D.電離輻射

6.單項(xiàng)選擇題相同能量的X射線與γ射線的唯一區(qū)別是（）。

A. 生物效應(yīng)
B. 產(chǎn)生原因
C. 波長(zhǎng)
D. 穿透材料能力

7.單項(xiàng)選擇題X射線屬于（）。

A.直接電離輻射
B.非電離輻
C.間接電離輻射
D.以上都不對(duì)

8.單項(xiàng)選擇題射線探傷的基本原理是利用射線穿透物質(zhì)時(shí)產(chǎn)生的（）物理作用。

A. 射線能量的衰減
B. 射線強(qiáng)度的衰減
C. 射線性質(zhì)的轉(zhuǎn)換
D. 射線強(qiáng)度的增加

9.單項(xiàng)選擇題原子核外電子能級(jí)最高的是 （）。

A.外殼層
B.中間殼層
C.內(nèi)殼層
D.以上均不是

10.單項(xiàng)選擇題原子的質(zhì)量是指（）。

A. 質(zhì)子數(shù)加中子數(shù)
B. 質(zhì)子數(shù)加電子數(shù)
C. 中子數(shù)加電子數(shù)
D. 原子序數(shù)